不过在配种之后，世界上最身器要定期带去医院检查是否怀孕。

欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，猥琐投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP.。然而，世界上最身器层间的电荷转移量可能非常大，从而产生大的电场并提供调节能带结构的可能性。

所以不管是生长半导体异质结还是氧化物异质结，猥琐人们都要刻意挑选合适的材料进行组合，这也是限制异质结研究的重要原因。参考文献：世界上最身器1.OhtomoAHwangHY(2004)Ahigh-mobilityelectrongasattheLaAlO3/SrTiO3heterointerface.Nature427(6973):423-426.2.DeanCR,etal.(2010)Boronnitridesubstratesforhigh-qualitygrapheneelectronics.5(10):722.3.WangL,etal.(2013)One-dimensionalelectricalcontacttoatwo-dimensionalmaterial.342(6158):614-617.4.GeimAKGrigorievaIV(2013)VanderWaalsheterostructures.Nature499:419.5.於逸骏，世界上最身器张远波(2017)从二维材料到范德瓦尔斯异质结.46(4):205-213.6.NovoselovKS,etal.(2004)Electricfieldeffectinatomicallythincarbonfilms.306(5696):666-669.7.YankowitzM,etal.(2012)EmergenceofsuperlatticeDiracpointsingrapheneonhexagonalboronnitride.NaturePhysics8:382.8.PonomarenkoLA,etal.(2013)CloningofDiracfermionsingraphenesuperlattices.Nature497:594.9.DeanCR,etal.(2013)HofstadtersbutterflyandthefractalquantumHalleffectinmoirésuperlattices.Nature497:598.10.HuntB,etal.(2013)MassiveDiracFermionsandHofstadterButterflyinavanderWaalsHeterostructure.340(6139):1427-1430.11.YuGL,etal.(2014)HierarchyofHofstadterstatesandreplicaquantumHallferromagnetismingraphenesuperlattices.NaturePhysics10:525.12.WoodsCR,etal.(2014)Commensurate–incommensuratetransitioningrapheneonhexagonalboronnitride.NaturePhysics10:451.13.AvsarA,etal.(2014)Spin–orbitproximityeffectingraphene.NatureCommunications5:4875.14.WangZ,etal.(2015)Stronginterface-inducedspin–orbitinteractioningrapheneonWS2.NatureCommunications6:8339. 往期回顾：梳理：二维材料的发展离不开这些热点材料的突破性进展盘点近几年在二维材料中发现的铁磁性被引杀手—-二维材料发展的里程碑文章金属二维材料的所有合成策略你都了解么？本文由材料人科技顾问WSY 供稿，材料人编辑部Alisa编辑。1、猥琐从闪存的发明讲起1967年，猥琐贝尔实验室的年轻科学家施敏与同事姜大元休息吃甜点时（施敏口述当时是因为姜同学午饭没吃饱所以跑去吃点心），一层又一层的涂酱触动他二人的灵感，想到在金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）中间加一层金属层，结果发明了非挥发性记忆体（Flash），随后两人发表了第一篇关于非挥发性内存的论文浮栅非挥发性半导体内存单元，第一次阐述了闪存存储数据的原理技术，开启了存储技术的新时代。

现在，世界上最身器人们已经在二维材料构建的异质结中观测到许多令人兴奋的物理现象。比如，猥琐石墨烯在六方氮化硼上出现的莫尔条纹导致二次狄拉克点的形成(7-11)，在相同系统中公度-无公度相变导致表面重建(12)和带隙的打开。

目前，世界上最身器范德瓦尔斯异质结构逐渐发展成为研究二维材料的主要平台。

猥琐（i）先将h-BN单晶机械剥离到涂覆有285nm热氧化物的硅晶片上。（iii）将PMMA膜粘附到载玻片上，世界上最身器然后吧载玻片夹在安装有光学显微镜的操纵手臂上。

对比半导体异质结或者氧化物异质结的制备过程（需要用到脉冲激光沉积、猥琐磁控溅射等大型仪器，猥琐而且对温度和真空度要求很高），我们可以发现二维材料异质结的制备是如此灵活简便（最早制备出石墨烯的机械剥离法就特别接地气(6)）。在转移过程中，世界上最身器将目标衬底加热至110℃，以驱除吸附在石墨烯或h-BN薄片表面的水，以及促进PMMA与目标衬底的良好粘附。

和十五年前发现石墨烯一样，猥琐人们对于范德瓦尔斯异质结的研究如火如荼，猥琐随着转移技术的发展优化和新的二维材料的出现，大量有趣的科学现象不断涌现。（j）蓝胶，世界上最身器（k）粘在蓝胶上的样品，（l）PDMS，（m）硅片，（n）显微镜，（o）异质结对准平台。